6月13日，据Evertiq报道，全球最大的半导体代工厂台积电宣布其先进后端晶圆厂Fab 6开业启用，这是该公司首个一体自动化先进封装和测试晶圆厂，实现了前后端制程与测试服务的3DFabric整合。

该晶圆厂准备量产TSMC-SoIC（集成芯片系统）工艺技术，将使台积电能够为其3DFabric先进封装和芯片堆叠技术（如SoIC、InFO、CoWoS和先进测试）分配产能，从而提高生产良率和效率。

报道称，先进后端Fab 6于2020年开始建设，旨在支持下一代HPC、AI、移动应用等产品，帮助客户实现产品成功并赢得市场机会。该晶圆厂位于中国台湾竹南科学园区，占地面积达14.3公顷，是台积电迄今为止最大的先进后道晶圆厂，其洁净室面积超过台积电其它先进后端晶圆厂的总和。

台积电在一份新闻稿中估计，该晶圆厂每年将有能力生产超过100万片12英寸晶圆等效3DFabric工艺技术的能力，以及每年超过1000万小时的测试服务。

今年4月26日，台积电在美国加州圣克拉拉市举行了2023年度北美技术论坛，会上着重介绍了3DFabric技术。据介绍，这个技术主要由先进封装、三维芯片堆叠和设计等三部分组成。通过先进封装，可以在单一封装中置入更多处理器及存储器，从而提升运算效能；在设计支持上，台积电推出开放式标准设计语言的最新版本，协助芯片设计人员处理复杂大型芯片。

有市场消息称，目前被全球大模型厂商追捧的英伟达H100计算芯片，就是基于台积电3DFabric技术，利用其中的CoWoS技术将6颗原本已经很昂贵的第三代高频记忆体(HBM3)连接起来，从而令每颗记忆体扩充到80GB、每秒3TB的超高速资料传输。

台积电此前曾在声明中称，硅含量在汽车、数据中心、物联网、智能手机、HPC相关应用中不断增加，这些现代工作负载需要封装技术创新，因此晶圆设计必须采用更全面的系统级优化方法。该公司将这种优化指向了“3D堆叠和先进封装技术”。